MOS 管
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种广泛应用于电子电路中的场效应晶体管（FET）。它利用电场效应来控制电流流动，是数字和模拟电路中常见的元件。MOS 管凭借其高输入阻抗和低功耗特性，在功率开关、信号放大以及逻辑电路中有着广泛的应用。
MOS 管的结构
MOS管主要由三部分构成：
- 栅极（Gate）：这是 MOS 管的控制端，通过在栅极施加电压来控制电流的导通与关断。栅极和通道之间由一层薄薄的绝缘氧化物层（通常是二氧化硅）隔开，因此栅极与其他区域几乎没有电流流动。
- 源极（Source）：电流从源极流向漏极，源极是电流的起点。
- 漏极（Drain）：漏极是电流的终点，当 MOS 管导通时，电流从源极流向漏极。
- 基极（Body or Substrate）：MOS 管内部的一个半导体区域，通常接地或接电源电压，用来控制或隔离栅极与源漏极之间的
MOS 管通常分为 N沟道（N-Channel）和 P沟道（P-Channel）两种类型，分别根据导电通道是由 N 型还是 P 型半导体形成来区分。
G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
N 沟道与 P 沟道判别
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道
MOS 管的工作原理
MOS 管是一种电压控制器件，它的工作状态由栅极的电压来控制。当在栅极和源极之间施加一定的电压时，栅极通过电场影响沟道区域的电荷分布，从而控制源极和漏极之间的电流流动。
- N 沟道 MOS 管（NMOS）：当栅极电压高于源极电压（即正偏压）时，导电沟道形成，电流从漏极流向源极。这个过程称为导通。
- P 沟道 MOS 管（PMOS）：与 NMOS 相反，当栅极电压低于源极电压（即负偏压）时，导电沟道形成，电流从源极流向漏极。